東芝超車三星，擬于 Q3 生產(chǎn) 64 層 NAND Flash
星電子的3DNAND Flash霸主寶座出現(xiàn)危機(jī)？三星是第一家開發(fā)出3DNAND Flash業(yè)者，技術(shù)遙遙領(lǐng)先，不過據(jù)傳日廠東芝（Toshiba）砸重金研發(fā)后，情勢(shì)一夕驟變，東芝即將超車三星，成為首家生產(chǎn)64層3D NAND Flash的廠商。
BusinessKorea 20日?qǐng)?bào)導(dǎo)，2013年三星電子率先制造3D NAND，東芝直到今年春天才加入生產(chǎn)行列，不過卻以光速追上對(duì)手，計(jì)劃今年第三季生產(chǎn)全球首見的64層3D NAND Flash，比三星快了一季。
64層3D NAND Flash極為重要，業(yè)界認(rèn)為64層3D NAND Flash的出現(xiàn)，代表平面NAND Flash時(shí)代劃上句點(diǎn)。3D NAND Flash采垂直堆疊，可提高內(nèi)存容量和速度，表現(xiàn)優(yōu)于平面NAND Flash。
盡管東芝來勢(shì)洶洶，半導(dǎo)體專家指出，東芝和三星仍有技術(shù)差距，兩家公司最大不同在于控制閘（controlgate）技術(shù)，三星采用TANOS、東芝使用SONOS。據(jù)稱東芝的技術(shù)便于多層堆疊，但是缺點(diǎn)在于制程較為復(fù)雜、生產(chǎn)力較低。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
