東芝傳生產(chǎn) NIL 技術(shù) NAND Flash，成本降 1 成
日經(jīng)新聞3日報(bào)導(dǎo)，全球第2大NAND型快閃內(nèi)存（Flash Memory）廠商?hào)|芝（Toshiba）將在2017年度采用被稱為“納米壓。∟ano-imprint Lithography，NIL）”的新技術(shù)，生產(chǎn)使用于智能手機(jī)等產(chǎn)品的NAND Flash，藉此可讓曝光工程（形成回路的工程）成本壓低至采用現(xiàn)行技術(shù)的三分之一水準(zhǔn)，就整體制造工程來看，預(yù)估成本有望刪減約1成。
報(bào)導(dǎo)指出，東芝正和大日本印刷（DNP）、Canon持續(xù)研發(fā)NIL技術(shù)，以期望藉由提高成本競爭力，對(duì)抗韓國三星電子。
據(jù)報(bào)導(dǎo)，東芝計(jì)劃今后3年內(nèi)對(duì)半導(dǎo)體事業(yè)砸下8,600億日元進(jìn)行投資，其中部分資金將用來整備采用NIL技術(shù)的NAND Flash產(chǎn)線，且計(jì)劃于2017年度開始進(jìn)行生產(chǎn)，之后并計(jì)劃利用預(yù)計(jì)于2018年度啟用的新廠房進(jìn)行量產(chǎn)。
因現(xiàn)行技術(shù)已難以進(jìn)一步提高半導(dǎo)體性能，故包含東芝在內(nèi)的全球半導(dǎo)體大廠正積極進(jìn)行次世代技術(shù)的研發(fā)，而除了上述的NIL之外，荷蘭設(shè)備廠ASML在獲得美國英特爾（Intel）、韓國三星的支持下，正進(jìn)行“極紫外光（EUV）曝光”技術(shù)的研發(fā)。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2017-12-13
