NorFlash、NandFlash、eMMC比較區(qū)別
快閃存儲(chǔ)器（英語：Flash Memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲(chǔ)器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯?chǔ)器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，以及在電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲(chǔ)存卡與U盤。閃存是非易失性的存儲(chǔ)器，所以單就保存數(shù)據(jù)而言, 它是不需要消耗電力的。
與硬盤相比，閃存也有更佳的動(dòng)態(tài)抗震性。這些特性正是閃存被移動(dòng)設(shè)備廣泛采用的原因。閃存還有一項(xiàng)特性：當(dāng)它被制成儲(chǔ)存卡時(shí)非常可靠，即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。閃存的寫入速度往往明顯慢于讀取速度。
NorFlash
NOR Flash需要很長的時(shí)間進(jìn)行抹寫，但是它提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線，并允許隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的任何區(qū)域，這使的它非常適合取代老式的ROM芯片。當(dāng)時(shí)ROM芯片主要用來存儲(chǔ)幾乎不需更新的代碼，例如電腦的BIOS或機(jī)上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環(huán)，它同時(shí)也是早期的可移除式快閃存儲(chǔ)媒體的基礎(chǔ)。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎(chǔ)的，雖然它之后跳槽到成本較低的 NAND Flash。
NandFlash
NAND Flash式東芝在1989年的國際固態(tài)電路研討會(huì)(ISSCC)上發(fā)表的， 要在NandFlash上面讀寫數(shù)據(jù)，要外部加主控和電路設(shè)計(jì)。。NAND Flash具有較快的抹寫時(shí)間, 而且每個(gè)存儲(chǔ)單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較于NOR Flash具有較高的存儲(chǔ)密度與較低的每比特成本。同時(shí)它的可抹除次數(shù)也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口并沒有隨機(jī)存取外部地址總線，它必須以區(qū)塊性的方式進(jìn)行讀取，NAND Flash典型的區(qū)塊大小是數(shù)百至數(shù)千比特。
因?yàn)槎鄶?shù)微處理器與微控制器要求字節(jié)等級(jí)的隨機(jī)存取，所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程序的ROM。從這樣的角度看來，NAND Flash比較像光盤、硬盤這類的次級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備。NAND Flash非常適合用于儲(chǔ)存卡之類的大量存儲(chǔ)設(shè)備。第一款創(chuàng)建在NAND Flash基礎(chǔ)上的可移除式存儲(chǔ)媒體是SmartMedia，此后許多存儲(chǔ)媒體也跟著采用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。
eMMC
eMMC (Embedded Multi Media Card) 為MMC協(xié)會(huì)所訂立的，eMMC 相當(dāng)于 NandFlash+主控IC ，對(duì)外的接口協(xié)議與SD、TF卡一樣，主要是針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器，它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存，使得手機(jī)廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場(chǎng)推出產(chǎn)品的時(shí)間。這些特點(diǎn)對(duì)于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來說，同樣的重要。
eMMC由一個(gè)嵌入式存儲(chǔ)解決方案組成，帶有MMC（多媒體卡）接口、快閃存儲(chǔ)器設(shè)備（Nand Flash）及主控制器，所有都在一個(gè)小型的BGA 封裝。接口速度高達(dá)每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升級(jí)的性能。同時(shí)其接口電壓可以是 1.8v 或者是 3.3v。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-04
