內(nèi)存血戰(zhàn)才揭開序幕？三星庫存塞爆創(chuàng)同季歷史新高
先前外資痛批三星電子不顧同行道義，在內(nèi)存業(yè)趕盡殺絕。如今背后原因似乎揭曉，韓媒指出，今年第一季三星電子和SK海力士（SK Hynix）的半導(dǎo)體庫存雙雙創(chuàng)下新高，滿坑滿谷的內(nèi)存賣不動，三星或許因此殺紅了眼。
BusinessKorea 18日報導(dǎo)，今年Q1季末，三星電子的半導(dǎo)體庫存達7.4萬億韓元，寫下同季歷史新高。SK海力士的半導(dǎo)體庫存為2.2萬億韓元，更創(chuàng)下該公司史上之最。一般而言，企業(yè)都趕在新年之前盡量消化庫存，Q4應(yīng)是出貨旺季，不料內(nèi)存買氣從2015年開始急凍，2015年Q4庫存增加速度之快，幾乎前所未見。
三星半導(dǎo)體庫存連年提高，近來更急速成長。2012年半導(dǎo)體庫存約為4萬億韓元，2015年增至6~7萬億韓元，今年Q1更超越7萬億韓元。和2015年同期相比，今年Q1庫存飆升了1.7萬億韓元。主要原因應(yīng)是內(nèi)存買氣驟減，Q1三星內(nèi)存部門營收年減3,700億韓元。
與此同時，2015年SK海力士的庫存大都在1.5萬億韓元以下，不料2015年年底突然暴增至1.9萬億韓元，今年Q1又一舉突破2萬億韓元。SK海力士的庫存資產(chǎn)占總資產(chǎn)比重一路攀升，2014年來從5.6%升至6.5%，再增至7.4%。庫存爆滿，問題是內(nèi)存前景欠佳，需求仍淡，業(yè)者可能會啟動更激烈的殺價戰(zhàn)，出清庫存。
內(nèi)存業(yè)凄慘，又有新技術(shù)出來搶市場，前景更為黯淡。Phone Arena、Engadget 17日報導(dǎo)，“相變化內(nèi)存”（Phase-Change Memory，簡稱PCM）因成本太高，智能機等移動設(shè)備無法采納，過去15年來一直應(yīng)用在光盤片等科技產(chǎn)品。然而，IBM現(xiàn)在不但降低了成本，還想出新的方法，可在每個記憶單位（cell）中儲存3位資訊、即使周遭溫度較高也毫無障礙，未來可能會讓內(nèi)存領(lǐng)域出現(xiàn)巨變。
IBM Research 17日在巴黎舉辦的IEEE國際內(nèi)存研討會（International Memory Workshop）上表示，新開發(fā)的技術(shù)可降低PCM成本，價格不但能與快閃內(nèi)存競爭，還會比DRAM更便宜。
（備注：10000韓元=55元人民幣）
編輯：admin 最后修改時間：2017-12-13
