單片機==日常復習題整理
今天藍橋杯成績出來了，我這個打醬油的居然還獲得了一個三等獎，這實在是讓我受寵若驚，在參加藍橋杯之前。我其實已經(jīng)差不多放棄了，我一個剛接觸算法的人，突然接觸一個算法類的競賽，我算是從算法入門到放棄了，各種算法題目看的頭疼腦漲，最后基本上能每天看一題就不錯了。這次竟然能獲獎真的是讓我意外啊。
不說算法，我這個硬件生還是老老實實復習我的硬件吧，今天也是整理了幾道單片機的題目，發(fā)現(xiàn)我雖然會用單片機，但是對單片機的基礎概念還真的是有些模糊之處啊。
第2部分 51單片機硬件結構、存儲系統(tǒng)及I/O接口
一、填空題
1、AT89S51單片機共有 4 個8位的并行I/O口，其中既可用作地址/數(shù)據(jù)口，又可用作一般的I/O口的是 P0 。
2、 若采用12MHz的晶振，則MCS-51單片機的振蕩周期為_1/12us___ ，機器周期為__ 1us_。
3、AT89S51單片機字長是__8____位，有_40__根引腳。
4.89S51單片機是 8 位單片機，其PC計數(shù)器是 16 位。
5.若單片機使用的晶振頻率是6MHz,那么一個振蕩周期是 1/6 µS，一個機器周期是 2 µS。
6.89S51單片機是 +5 V供電的。
7.堆棧是內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM區(qū)中，數(shù)據(jù)按 后進先出 的原則出入棧的。
8.MSC-51系列單片機具有 4 個并行輸入/輸出端口，其中_P0_口是一個兩用接口，它可分時輸出外部存儲器的低八位地址和傳送數(shù)據(jù)，而_P1__口是一個專供用戶使用的I/O口，常用于第二功能的是 P3 口。
9.當單片機系統(tǒng)進行存儲器擴展時，用P2口的作為地址總線的 高8 位，用P0作為地址總線的 低8 位。
10.半導體存儲器分為_ROM_和__RAM__兩大類，其中前者具有非易失性(即掉電后仍能保存信息)，因而一般用來存放系統(tǒng)程序，而后者具有易失性，因而一般用來存放經(jīng)常變動的用戶程序.中間結果等。
二、判斷題
( X ) 1、MCS-51單片機的程序存儲器只能用來存放程序。
( X ) 2、MCS-51若希望程序從片內(nèi)存儲器開始執(zhí)行，EA腳應接低電平。
( X ) 3、89S51單片機中，外部RAM與I/O接口是統(tǒng)一編址的。
( X ) 4、89S51單片機復位后，特殊功能寄存器SP的內(nèi)容都是00H。
( X ) 5、51單片機內(nèi)部寄存器都是8位的。 //T0 T1 16位
( P )6、對于8位機，如果正數(shù)+正數(shù)等于負數(shù)，則會產(chǎn)生溢出。
( X )7.在MCS-51系統(tǒng)中，一個機器周期等于1μs。
( X )8.復位之后，P0-P3的內(nèi)容為0FFH，棧指針SP指向00H單元。
( P )9.當AT89C51的EA引腳接低電平時，CPU只能訪問片外ROM，而不管片內(nèi)是否有程序存儲器。
( X) 10.擴展I/O口占用片外數(shù)據(jù)存儲器的地址資源。
( X )11.MCS-51系統(tǒng)可以沒有復位電路。
三、簡答題
1、請說明為什么使用LED需要接限流電阻，當高電平為+5V時，正常點亮一個LED需要多大阻值的限流電阻(設LED的正常工作電流為10mA，導通壓降為0.6V)，為什么?
440Ω， R = (U-U導通)/ I導通 = (5-0.6)/(10x10^-3) = 440Ω
2、MCS-51單片機的存儲器從物理結構上可劃分幾個空間?
4個，片內(nèi)RAM，片外RAM，片內(nèi)ROM，片外ROW
3、MCS-51單片機的P0~P3四個I/O端口在結構上有何異同?使用時應注意的事項?
80C51單片機的4個I/O端口在結構上時基本相同的，但又各具特點。在無片外擴展存儲器的系統(tǒng)中，這4個端口的每1位都可以作為I/O端口使用。在作為一般的通用I/O輸入時，都必須先向鎖存器寫入“1”，使輸出驅動場效應管FET截止，以免誤讀數(shù)據(jù)。在系統(tǒng)擴展片外存儲器時， P2口作為高8位地址，P0口分時作為低8位地址和雙向數(shù)據(jù)總線。
它們的主要不同點如下：
(1)P0口的每一位可驅動8個LSTTL負載。P0口即可作I/O端口使用，也可作地址/數(shù)據(jù)總線使用。當它作通用口輸出時，只有外接上拉電阻，才有高電平輸出，作地址/數(shù)據(jù)總線時，無需外接電阻，此時不能再作I/O端口使用。
(2)P1-P3口輸出級接有內(nèi)部上拉電阻，每位可驅動4個LSTTL負載，能向外提供上拉電流負載，所以不必再外接上拉電阻。
編輯：admin 最后修改時間：2018-05-18
