存儲器基本知識
1．半導(dǎo)體存儲芯片的基本結(jié)構(gòu)
半導(dǎo)體存儲芯片采用超大規(guī)模集成電路制造工藝，通過地址總線、數(shù)據(jù)總線和控制總線與外部連接。地址線是單向輸入，數(shù)據(jù)線是雙向輸入輸出，數(shù)據(jù)線和地址的位數(shù)共同反映存儲芯片的容量。
控制線主要有讀/寫控制線與片選線兩種。通常主存由多個存儲芯片構(gòu)成，讀/寫控制線決定芯片進(jìn)行讀/寫操作，片選線用來選擇存儲芯片，如圖所示。
圖 64K×8位的存儲器
2．半導(dǎo)體存儲芯片的分類
根據(jù)存儲器使用的不同，可以分為只讀存儲器（ROM）和隨機(jī)存取存儲器（RAM）。
1）RAM隨機(jī)存取存儲器（Random Access Memory）
CPU根據(jù)RAM的地址將數(shù)據(jù)隨機(jī)的寫入或讀出，電源切斷后，所存數(shù)據(jù)全部丟失。按照集成電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，RAM又分為SRAM（靜態(tài)RAM，Static RAM）和DRAM（動態(tài)RAM，Dynamic RAM）兩類
2）ROM只讀存儲器（Read Only Memory）
ROM存儲器將程序及數(shù)據(jù)固化在芯片中，數(shù)據(jù)只能讀出不能寫入，電源關(guān)掉，數(shù)據(jù)也不會丟失。ROM按集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以分為EPROM可擦除、可編程（Erasable PROM）和EEPROM電可擦除可編程（Electrically Erasable PROM）。
3）Flash存儲器
Flash存儲器可在幾秒鐘的時間內(nèi)完成全片的擦除，它的最大優(yōu)點(diǎn)是集成度高、價格便宜，不需要脫機(jī)擦寫、可在線編程，AT89S52單片機(jī)的程序存儲器采用的是Flash存儲器。
編輯：admin 最后修改時間：2020-04-06
