什么是只讀存儲器
只讀存儲器（ROM）的信息在制造時或通過一定的編程方法寫入，在系統中通常只能讀出不能寫入。在斷電時，其信息不會丟失，它用來存放固定的程序及數據，如監(jiān)控程序、數據表格等。只讀存儲器可以分為掩膜式ROM、一次性編程PROM、可重復編程的則有光擦除的EPROM、E2PROM及Flash Memory 等。
掩膜式ROM也稱固定ROM。它是由半導體生產廠根據用戶的要求，在生產過程中根據用戶提供的程序或數據制造。制成之后，用戶只能讀出其信息而不能加以修改。它適用于定型產品的批量生產。
一次性編程PROM可供用戶通過編程器寫入一次程序或數據。寫入以后其內容不允許修改。這樣用戶可自行將無須修改的程序或數據寫入 ROM，如寫入后發(fā)現其內容還需修改，只能將此芯片報廢，重新取用一片新的。它適用于批量較小的場合。
EPROM是一種利用光擦除的能夠重復擦、寫的只讀存儲器。用戶可通過編程器寫入程序。當需要修改時，可用紫外光通過芯片上的石英玻璃窗照射芯片15～20分鐘，將芯片內的信息全部擦除。此時所有單元的內容均為"1"。用戶可將其再次寫入信息。EPROM使用比較靈活，當用戶寫入一程序后發(fā)現部分數據需修改時，可以將其內容擦去后再次寫入。它在科研及小批量生產過程中使用較普遍。
EPROM的擦或寫均需專用設備。即使要修改一個數據也必須將芯片從系統中拆下，把信息全部擦除后再次重新寫入。而在實際使用中，往往只要求修改一個或少數幾個數據。EEPROM和Flash Memory在這方面顯示了其優(yōu)越性，是目前用得較多的大容量只讀存儲器。與光擦除的EPROM不同的是，它采用了電擦除的方式，而編程也無須通過專用的編程器進行，可在應用系統中直接編程。在寫入的同時即擦除了原有的信息，通常在器件的內部產生編程所需的高電壓，用戶只需5V的電壓即可對其進行操作。
E2PROM的數據讀出類似于靜態(tài)RAM（SRAM）的數據讀出，數據寫入分為字節(jié)寫入和頁寫入兩種模式。在器件內包含了一個64字節(jié)的頁寄存器，允許最多寫入64個字節(jié)（一頁）的數據。寫入操作包括數據鎖存和編程2個過程，寫周期最大為10ms。在寫入操作的同時，原先的數據即被擦除。
Flash Memory的數據讀出類似于靜態(tài)RAM（SRAM）的數據讀出。數據寫入為頁寫入模式。在器件內包含了一個64字節(jié)的頁寄存器，要求一次寫入64個字節(jié)（一頁）的數據，寫入操作包括數據鎖存和編程2個過程，寫周期最大為10ms。在編程時，一頁中未裝入的數據將為不確定數據。在寫入操作的同時，原先的數據即被擦除。
編輯：admin 最后修改時間：2018-05-08
