單片機(jī)復(fù)位
為了保證 CPU 在需要時(shí)從已知的起點(diǎn)和狀態(tài)開(kāi)始工作，安排了復(fù)位功能。 當(dāng)復(fù)位引腳RST/VPD出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期高電平時(shí)，單片機(jī)復(fù)位 。參考復(fù)位電路如下：
復(fù)位后， P0 ~ P3 輸出高電平； SP 寄存器為 07H ；其它寄存器全部清 0 ；不影響 RAM 狀態(tài)。 復(fù)位后片內(nèi)各寄存器的狀態(tài)如下（ X 為不確定）：
PC 0000H ACC 00H
B 00H PSW 00H
SP 07H DPTR 0000H
P0 ～ P3 FFH IP XXX00000B
IE 0XX00000B TMOD 00H
TCON 00H THO 00H
TLO 00H TH1 00H
TL1 00H SCON 00H
SBUF 不確定
PCON 0XXXXXXXB(HMOS)0XXX0000B(CHMOS)
復(fù)位不影響內(nèi)部 RAM 中的數(shù)據(jù)。復(fù)位后， PC=0000 指向程序存儲(chǔ)器 0000H 地址單元，使 CPU 從首地址 0000H 單元開(kāi)始重新執(zhí)行程序。所以單片機(jī)系統(tǒng)在運(yùn)行出錯(cuò)或進(jìn)入死循環(huán)時(shí)，可按復(fù)位健重新啟動(dòng)。
RST/Vpp 端的外部復(fù)位電路有兩種工作方式：上電自動(dòng)復(fù)位和按健手動(dòng)復(fù)位。如圖所示。上電復(fù)位是利用 RC 充電來(lái)實(shí)現(xiàn)的。利用 RC 微分電路產(chǎn)生正脈沖。參數(shù)選取應(yīng)保證復(fù)位高電平持續(xù)時(shí)間大于兩個(gè)機(jī)器周期（圖中參數(shù)適合 6MHz 晶振）。開(kāi)關(guān) S1 為手動(dòng)復(fù)位，按下 S1 時(shí)合上開(kāi)關(guān)， RST 得到高電平，松手后 CPU 完成復(fù)位，并從 0000H 開(kāi)始執(zhí)行程序。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-05-08
