ROM的分類
只讀型存儲(chǔ)器（ROM）是存儲(chǔ)器中結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的一種，它存儲(chǔ)的信息是固定不變的。工作時(shí)，只能讀出信息，不能隨時(shí)寫入信息，所以稱為只讀存儲(chǔ)器。只讀存儲(chǔ)器常用于存儲(chǔ)數(shù)字系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)中不需改寫的數(shù)據(jù)，如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換表及計(jì)算機(jī)操作系統(tǒng)程序等。ROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)因斷電而消失，即具有非易失性。
ROM一般需要由專用裝置寫入數(shù)據(jù)。按數(shù)據(jù)寫入方式特點(diǎn)不同，ROM可分為以下幾種。
（1）固定ROM。也稱掩膜ROM，這種ROM在制造時(shí)，廠家利用掩膜技術(shù)直接把數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器中，ROM制成后，其存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也就固定不變了，用戶對(duì)這類芯片無法進(jìn)行任何修改。
（2）一次性可編程ROM(PROM)。PROM在出廠時(shí)，存儲(chǔ)內(nèi)容全為1（或全為0），用戶可根據(jù)自己的需要，利用編程器將某些單元改為0（或）1。PROM一旦進(jìn)行了編程，就不能再修改了。
（3）光可擦出可編程ROM(EPROM)。EPROM是采用浮柵技術(shù)產(chǎn)生的可編程存儲(chǔ)器，它的存儲(chǔ)單元可多采用N溝道疊柵MOS管，信息的存儲(chǔ)是通過MOS管上的電荷分布來決定的，編程過程就是一個(gè)電荷注入的過程。編程結(jié)束后，盡管撤出了電源，但是，由于絕緣層的包圍，注入到浮柵上的電荷無法泄露，因此電荷分布維持不變，EPROM也就成為非易失性存儲(chǔ)器件了。
當(dāng)外部能源（如紫外線光源）加到EPROM上時(shí)，EPROM內(nèi)部的電荷分布才會(huì)被破壞，此時(shí)聚集在MOS管浮柵上的電荷在紫外線照射下形成光電流被泄露掉，使電路恢復(fù)到初始狀態(tài)，從而擦出了所有寫入的信息。這樣EPROM又可以寫入新的信息。
（4）電可擦除可編程ROM(E2PROM)。E2PROM也是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程ROM,但是構(gòu)成其存儲(chǔ)單元的是隧道MOS管，隧道MOS管也是利用浮柵是否存有電荷來存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)的，不同的是隧道MOS管是用電擦除的，并且擦除的速度要快得多（一般為ms數(shù)量級(jí)）。
E2PROM的電擦除過程就是改寫過程。它具有ROM的非易失性，又具備類似RAM的功能，可以隨時(shí)改寫（可重復(fù)擦寫1萬次以上）。目前大多數(shù)E2PROM芯片內(nèi)部都備有升壓電路。因此，只需提供單電源供電，便可進(jìn)行讀、擦除/寫操作，這為數(shù)字系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和在線調(diào)試提供了極大方便。
（5）快閃存儲(chǔ)器（flash memory）？扉W存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元也是采用浮柵型MOS管，存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的擦除和寫入時(shí)分開進(jìn)行的，數(shù)據(jù)寫入方式與EPROM相同，需要輸入一個(gè)較高的電壓，因此要為芯片提供兩組電源。一個(gè)字的寫入時(shí)間約為200μs，一般一只芯片可以擦除/寫入100萬次以上。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-05-08
